期刊文章详细信息
MOS器件界面态与陷阱电荷分离方法研究
Oxide-trap and Interface-trap Charge Separation Analysis Techniques on MOSFET
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]信息产业部电子第五研究所,广东广州510610 [2]华南理工大学微电子研究所,广东广州510640
基 金：重点基金项目(6140438);重点实验室基金项目(51433020101DZ1501)
年 份：2006
卷 号：24
期 号：4
起止页码：26-29
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：对MOS结构器件,要分离由辐射效应引起的界面态电荷与氧化层陷阱电荷的方法有很多种,如中电带压法、电荷泵法和双晶体管法就是目前比较常用、有效的方法,分析了这些方法的优点和局限性。
关 键 词：界面态 氧化层陷阱电荷 电荷分离方法 辐照效应
分 类 号：TN386]
参考文献：
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