文献类型：期刊文章

作　　者：张书玉[1] 张维连[1] 索开南[1] 牛新环[1] 张生才[2] 姚素英[2]

机构地区：[1]河北工业大学半导体材料研究所,天津300130 [2]天津大学电子信息工程学院,天津300072

出　　处：《传感技术学报》

年　　份：2006

卷　　号：19

期　　号：4

起止页码：984-987

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：介绍了SOI压力传感器的制作工艺,并且通过有限元软件对传感器输出特性进行模拟,模拟结果与实际测得结果是相符的。对SOI压力传感器测量结果表明,当温度增加到220℃传感器仍然能保持很好线性。另外对SOI压力传感器和多晶硅压力传感器进行比较,发现单晶硅SOI高温压力传感器灵敏度比多晶硅高温压力传感器灵敏度有较大提高。

关 键 词：压力传感器 SOI 灵敏度 有限元

分 类 号：TN305.95] TP212.1]