文献类型：期刊文章

作　　者：孙静[1] 康琳[1] 刘希[1] 赵少奇[1] 吉争鸣[1] 吴培亨[1] 郝西萍[1]

机构地区：[1]南京大学电子系超导电子学研究所,南京210093

出　　处：《低温物理学报》

基　　金：国家重点基础研究基金(项目编号:2006CB601006);国家自然科学基金(项目编号:10390163)资助的课题~~

年　　份：2006

卷　　号：28

期　　号：3

起止页码：224-227

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在制备所有的NbN超导隧道结的过程中,为了得到良好的隧道结,刻蚀是很关键的一步,我们对反应离子刻蚀(RIE)和离子刻蚀两种不同的方法进行了研究比较.通过对多层结构用三种不同的方法刻蚀,再进行SEM观察切面图像,发现离子刻蚀出来的薄膜边缘,与离子源与基片摆放的方向有很大的关系,而RIE刻蚀的结区边缘较为平缓且结果稳定,有利于我们制备更好质量的超导隧道结.

关 键 词：反应离子刻蚀RIE  离子刻蚀 SEM成像  

分 类 号：O484.1]