文献类型：期刊文章

作　　者：潘洪哲[1] 徐明[1,2] 祝文军[1,3] 周海平[1]

机构地区：[1]四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所 [2]重庆邮电学院光电工程学院,重庆400065 [3]中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室,绵阳621900

出　　处：《物理学报》

基　　金：四川省教育厅重点基金项目(批准号:2005A092);四川师范大学重点研究项目(批准号:037003)资助的课题.~~

年　　份：2006

卷　　号：55

期　　号：7

起止页码：3585-3589

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20063510085795)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用基于密度泛函的平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),计算了β相氮化硅(β-Si3N4)的电子结构和光学性质,得到的晶格常数、能带结构等均与实验结果较好符合.进一步还研究了β-Si3N4的光吸收系数以及禁带宽度随外压力的变化规律,为β-Si3N4材料在高压条件下的应用提供了理论参考.

关 键 词：β相氮化硅  电子结构 能带结构  光学性质

分 类 号：O561]