文献类型：期刊文章

作　　者：袁宁一[1] 李金华[1] 范利宁[1] 王秀琴[1] 谢建生[1]

机构地区：[1]江苏工业学院功能材料实验室,常州213016

出　　处：《物理学报》

年　　份：2006

卷　　号：55

期　　号：7

起止页码：3581-3584

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20063410083846)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000239068500063)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000239068500063)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用离子束增强沉积方法在Si和SiO2/Si衬底上制备In-N共掺杂ZnO薄膜(INZO),溅射靶是用ZnO和2atm%In2O3粉体均匀混合并压制而成,在氩离子溅射ZnO靶的同时,氮、氩混合离子束垂直注入沉积的薄膜.实验结果显示INZO薄膜具有(002)的择优取向,并且为p型导电,电阻率最低为0.9Ωcm.薄膜在氮气、氧气气氛下退火,对薄膜的结构和电学特性与成膜和退火条件的关系进行了分析.

关 键 词：氧化锌薄膜 P型掺杂 离子束增强沉积

分 类 号：O484.1]