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单晶硅压力传感器温度漂移的补偿方法
Temperature compensation of mono crystal silicon pressure sensor
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十九研究所,黑龙江哈尔滨150001
年 份：2006
卷 号：25
期 号：7
起止页码：33-35
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2004、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊
摘 要：介绍了单晶硅压力传感器温度漂移的机理，阐述了采取串并联电阻网络和有源电路分段等综合补偿方法的补偿原理。实验结果表明：在－45～85℃温区内，补偿后，热零点漂移和热灵敏度漂移从±0．5％FS／℃提高到±0．014％FS／℃。
关 键 词：传感器 热零点漂移 热灵敏度漂移 补偿
分 类 号：TP212]
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