期刊文章详细信息
微型薄膜磁阻传感元件的磁畴和畴壁状态的转变过程 ( EI收录)
The Transition Process of Magnetic Domains and Domain Wall State in Small Thin Film Magnetoresistive Elements
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]信息存储研究中心
基 金：兰州大学应用磁学研究开放实验室部分资助
年 份：1996
卷 号：30
期 号：7
起止页码：95-99
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1992、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、INSPEC、JST、MR、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊
摘 要：用Ｂｉｔｅｒ粉纹技术研究了长×宽为４０μｍ×３００μｍ，厚度为４０ｎｍ的微型ＮｉＦｅ磁阻元件，在难轴方向反磁化过程中曲折状磁畴的转变过程，观察和分析了曲折状畴形成、Ｎｅｅｌ壁合并。
关 键 词：磁阻传感元件 磁畴 畴壁 反磁化 薄膜磁阻
分 类 号：O441.2]
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