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期刊文章详细信息

GaN基功率型LED芯片散热性能测试与分析  ( EI收录)  

Thermal Dispersion of GaN-based Power LEDs

  

文献类型:期刊文章

作  者:钱可元[1] 郑代顺[1] 罗毅[1]

机构地区:[1]清华大学深圳研究生院半导体照明实验室,广东深圳518055

出  处:《半导体光电》

基  金:国家"十五"科技攻关计划重大项目(2003BA316A01-01-02);深圳市科技计划项目

年  份:2006

卷  号:27

期  号:3

起止页码:236-239

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI(收录号:20063210056591)、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:与正装LED相比,倒装焊芯片技术在功率型LED的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型LED芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析。研究表明,焊接层的材料、焊接接触面的面积和焊接层的质量是制约倒装焊LED芯片散热能力的主要因素;而对于正装LED芯片,由于工艺简单,减少了中间热沉,通过结构的优化,工艺的改进,完全可以达到与倒装焊LED芯片相同的散热能力。

关 键 词:功率型LED 倒装焊结构  散热性能 热阻

分 类 号:TN312.8]

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同被引文献:

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