文献类型：期刊文章

作　　者：郝保红[1] 黄俊华[2]

机构地区：[1]北京石油化工学院机械工程系,北京102617 [2]中国石油大学机电工程学院,北京102249

出　　处：《北京石油化工学院学报》

年　　份：2006

卷　　号：14

期　　号：2

起止页码：58-64

语　　种：中文

收录情况：JST、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：控制晶体生长使材料达到最高的强度可以采取两条相反的途径:一是尽量增大位错密度,非晶态材料就可看成是位错密度极高的材料;二是尽量减少位错密度,晶须就是这种方法的一个实例。晶体生长理论研究包括晶体成核理论、输运理论、界面稳定性理论、界面结构理论和界面动力学理论的体系。揭示了晶体生长的基本过程,介绍了晶体生长的机理,概述了晶体生长理论研究的技术和控制晶体生长的途径及手段,阐述晶体生长研究的发展方向,以及晶体生长与界面相的关系。这将对晶体生长的实践起着一定的指导作用。晶体生长理论研究的发展方向是使晶体生长过程可视化,这也是晶体生长实验技术的最终目标。

关 键 词：晶体结构 晶界 晶须 扩散 成核

分 类 号：O78]