文献类型：期刊文章

作　　者：张训生[1] 范朝阳[1] 隋华[1] 鲍世宁[1] 徐亚伯[1] 徐世红[2] 潘海斌[2] 徐彭寿[2]

机构地区：[1]浙江大学物理系硅材料国家重点实验室,杭州310027 [2]中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金;浙江省自然科学基金资助的课题

年　　份：1996

卷　　号：45

期　　号：7

起止页码：1244-1248

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1992、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：分析了Si(111)7×7表面上Na(3×1)有序吸附的同步辐射光电子能谱的变化,并与Paggel等的扫描隧道显微镜和光电子能谱比较,得出Na吸附在类余留原子(rest atom)的位置,支持Mnch的模型,与室温下无序吸附Na的光电子能谱相比较,得出Na-Si界面肖特基势垒形成是由Na与Si原子之间的相互作用决定,与表面构形是否有序关系不大,势垒高度与MIGS理论预计值相符。

关 键 词：硅表面 钠 有序吸附结构  半导体 光电子能谱

分 类 号：O471]