文献类型：期刊文章

作　　者：李谷波[1] 张甫龙[2] 陈华杰[2] 范洪雷[2] 俞鸣人[2] 侯晓远[2]

机构地区：[1]四川工业学院物理实验室,成都611744 [2]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金;"863"高技术计划青年基金资助的课题

年　　份：1996

卷　　号：45

期　　号：7

起止页码：1232-1238

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1992、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：报道对多孔硅在NH_3气中进行快速热处理的结果。红外吸收谱表明,经处理样品的表面由Si(NH)_2和Si_3N_4所覆盖,电子自旋共振谱指出,经处理的样品有相当低的悬挂键密度,光荧光谱表明,经适当条件处理的样品的发光强度与未作处理样品相比仅略有降低,而且在大气中存放三个月基本不变,这些结果表明,氮化物可以在多孔硅表面形成优良的钝化膜,这对多孔硅的实际应用及理论研究都有一定意义。

关 键 词：发光 多孔硅 表面  氮钝化  

分 类 号：TN204]