期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]西安交通大学理学院实验物理中心,北京大学物理系
年 份:1996
卷 号:25
期 号:7
起止页码:614-617
语 种:中文
收录情况:AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊
摘 要:本文用深能级瞬态谱(DLTS)方法对p型单晶硅中n+p结掺金形成的两个深能级进行了实验研究,并对DLTS方法中传统计算深中心浓度分布的公式进行了改进,给出了深能级及相对浓度分布更为准确的测量结果。
关 键 词:n^+p结 深能级 掺金 深能级 掺杂浓度
分 类 号:O475]
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