文献类型：期刊文章

作　　者：孔月婵[1] 郑有炓[1]

机构地区：[1]南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093

出　　处：《物理学进展》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:601360206027603160290080);国家重点基础研究专项基金(批准号:G20000683);国家高技术研究与发展计划基金(批准号:2002AA305304)

年　　份：2006

卷　　号：26

期　　号：2

起止页码：127-145

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CSCD、CSCD2011_2012、JST、MR、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本文总结了近年来Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展。从Ⅲ族氮化物材料晶格结构和特有的极化性质出发,重点讨论了AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的性质,总结分析了异质结构中Al组分、势垒层厚度、应变弛豫度、掺杂等对二维电子气浓度和迁移率的影响,同时还涉及AlGaN/GaN/AlGaN,AlGaN/AlN/GaN和AlGaN/InGaN/GaN等异质结构二维电子气性质。

关 键 词：Ⅲ族氮化物异质结构  二维电子气 综述  自发极化 压电极化 迁移率

分 类 号：O471]