文献类型：期刊文章

作　　者：王明灼[1] 杜懋陆[2] 吴晓轩[3]

机构地区：[1]四川自贡师范专科学校物理教研室,自贡643000 [2]西南民族学院物理系,成都610041 [3]四川轻化工学院物理教研室,自贡643033

出　　处：《科学通报》

基　　金：四川省教委重点项目基金

年　　份：1996

卷　　号：41

期　　号：12

起止页码：1075-1078

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1992、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、MR、RCCSE、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：GaAs是具有重要用途的半导体,其掺入过渡金属离子后的光学及磁学性质日益受到人们普遍关注。在实验上许多人,如Ennen等人及Henned等人对GaAs:Co^(2+)进行了研究。然而在GaAs:Co^(2+)光谱理论研究方面,经典晶场理论未区分d电子t_(2g)轨道和e_g轨道差别,因而忽略了Racah参量A的影响,这对共价性很强的GaAs:Co^(2+),显然将引起大的误差。 本文对Racah静电相互作用考虑了t_(2g)轨道和e_g轨道间的区别,推导出d^(3,7)电子组态在O_h对称下新的能量矩阵公式,且与经典晶场理论计算的结果进行比较,得出t_(2g)与e_g轨道的差别将明显影响半导体中过渡金属离子的能级及Racah参量A的贡献是不可忽略的结论。并用以计算了GaAs:CO^(2+)的光谱,得到了与实验一致的结果。

关 键 词：晶场理论 过渡金属离子 半导体  光谱 砷化镓

分 类 号：O472.3] TN304.23[物理学类]