文献类型：期刊文章

作　　者：赵戈[1] 傅相锴[1] 马丽华[1]

机构地区：[1]西南大学化学化工学院应用化学研究所重庆市应用化学重点实验室,重庆400715

出　　处：《精细化工》

年　　份：2006

卷　　号：23

期　　号：6

起止页码：540-544

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：用原位聚合法,以十二烷基苯磺酸(DBSA)/HC l混酸为掺杂剂,过硫酸胺(APS)为氧化剂,制备了聚苯胺/掺锑二氧化锡(ATO)导电复合材料。探讨了ATO用量对导电复合材料电导率的影响。在n(苯胺)∶n(APS)∶n(DBSA)=1∶1∶0.7,m(ATO)∶m(苯胺)=0.1∶1时,复合材料室温25℃的电导率最高可达8.35 S/cm,比通常方法合成的聚苯胺和nano-ATO的电导率分别提高约1至2个数量级。通过FTIR、XRD、SEM和TEM对目标物进行了表征,结果表明,苯胺优先在ATO纳米粒子表面聚合,形成聚苯胺包覆ATO的导电复合材料。

关 键 词：聚苯胺 NANO-ATO 原位聚合法 导电复合材料 电导率

分 类 号：TB332[材料类]