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期刊文章详细信息

TMAH腐蚀液制作硅微结构的研究  ( EI收录)  

Research in Manufacturing Silicon Microstructure with TMAH Solution

  

文献类型:期刊文章

作  者:张建辉[1,2] 李伟东[3] 万红[1] 吴学忠[3]

机构地区:[1]国防科技大学航天与材料工程学院 [2]装甲兵工程学院表面工程研究所,北京100072 [3]国防科技大学机电工程与自动化学院

出  处:《传感技术学报》

基  金:国家自然科学基金资助(50375154)

年  份:2006

卷  号:19

期  号:3

起止页码:593-596

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:20063310071828)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:通过各向异性腐蚀硅微结构工艺,研究了四甲基氢氧化铵(TMAH)腐蚀液的特性,包括硅(100)晶面腐蚀速率与TAMH溶液浓度、温度、pH值以及过硫酸铵添加剂的关系,并采用原子力显微镜研究了不同腐蚀条件下硅的表面形貌,研究表明随TMAH溶液的浓度的降低和腐蚀温度的提高,腐蚀速率提高,硅腔的表面粗糙度增大;过硫酸铵添加剂明显改善了硅微腔的表面平整度。本研究所确定的最佳腐蚀工艺条件为溶液中TMAH浓度为25%,过硫酸铵添加剂浓度为3%,腐蚀温度80℃。在此工艺条件下腐蚀出了深度为230μm、表面粗糙度小于50nm的硅微腔。

关 键 词:MEMS TMAH 硅微结构 各向异性腐蚀

分 类 号:TN304.052]

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同被引文献:

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