文献类型：期刊文章

作　　者：李海燕[1] 张之圣[1] 胡明[1] 樊攀峰[1] 王秀宇[1] 刘志刚[1]

机构地区：[1]天津大学电子信息工程学院电子科学与技术系,天津300072

出　　处：《压电与声光》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60371030);天津大学青年教师基金资助项目(5110103)

年　　份：2006

卷　　号：28

期　　号：3

起止页码：325-327

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CSA、CSCD、CSCD2011_2012、IC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用对靶溅射法在SiO2/Si基板上沉积Pt/Ti底电极,用射频(RF)溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si基板上制备了厚度约800 nm的PZT薄膜。XRD分析表明,Ar气氛中沉积,700℃下快速退火(RTA)20 min所得的PZT薄膜具有钙钛矿结构;SEM、AFM分析表明,该条件下所得薄膜的表面由平均粒径约219 nm的晶粒组成,较为均匀、致密。在1 kHz的测试频率下,PZT薄膜的介电常数为327.6,从电滞回线上可以得出,该PZT薄膜的矫顽场强为50 kV/cm,剩余极化强度和自发极化强度分别为10μC/cm2、13μC/cm2。

关 键 词：锆钛酸铅薄膜  射频溅射 钙钛矿结构 电滞回线

分 类 号：O484]