期刊文章详细信息
半导体超薄层微结构的外延生长技术
EPITAXIAL TECHNIQUES OF ULTRATHIN SEMICONDUCTOR MICROSTRUCTURE
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]河北大学电子与信息工程系,保定071002 [2]河北大学物理系,保定071002
基 金：河北省自然科学基金
年 份：1996
卷 号：16
期 号：3
起止页码：185-192
语 种：中文
收录情况：CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、SCOPUS、普通刊
摘 要：半导体超薄层外延是超晶格与量子阱研究的技术基础。化学束外延、原子层外延、迁移增强外延、选择区域外延、激光辅助外延和低温Si外延等是在分子束外延和金属有机化学气相沉积基础上发展起来的几种新型超薄层外延技术。本文着重介绍了这些外延工艺的生长机理及其研究进展。
关 键 词：超晶格微结构 超薄层 外延 生长机理 半导体
分 类 号：TN304.054]
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