文献类型：期刊文章

作　　者：李恩玲[1] 王雪雯[2] 陈贵灿[1] 马红[3] 薛英[3]

机构地区：[1]西安交通大学微电子研究所,西安710049 [2]西北大学信息科学与技术学院,西安710068 [3]西安理工大学理学院,西安710048

出　　处：《物理学报》

基　　金：人事部留学回国人员资助基金(批准号:108220218);陕西省科技攻关计划项目(批准号:2005k06-G25)资助的课题~~

年　　份：2006

卷　　号：55

期　　号：5

起止页码：2249-2256

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2006239926357)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000237522000024)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000237522000024)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：利用密度泛函理论(DFT)对GanN-(n=2—8)和GanN2-(n=1—7)阴离子团簇的结构及稳定性进行了研究.在B3LYP/6-31G*水平上进行了结构优化和频率分析,得到了GanN-(n=2—8)和GanN2-(n=1—7)阴离子团簇的基态结构.在这些团簇中,原子总数小于等于6的团簇的几何结构为平面结构,原子总数大于6的团簇的几何结构为立体结构;在所研究的团簇中,Ga4N-,Ga6N-,Ga4N2-和Ga5N2-的基态结构较稳定.

关 键 词：GanNm^-团簇  密度泛函理论(DFT)  几何结构  

分 类 号：O472]