文献类型：期刊文章

作　　者：曾磊[1] 徐赛生[2] 张立锋[2] 张玮[3] 张卫[2] 汪礼康[2]

机构地区：[1]罗门哈斯电子材料有限公司,上海200233 [2]复旦大学微电子研究院复旦-诺发互连研究中心,上海200433 [3]上海大学化学系,上海200444

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家自然科学基金项目(60176013);上海市科委AM基金(0304)

年　　份：2006

卷　　号：31

期　　号：5

起止页码：329-333

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：针对先进纳米铜互连技术的要求,研究了脉冲电流密度对铜互连线电阻率、晶粒尺寸和表面粗糙度等性能的影响。实验结果表明,2～4A/dm2电流密度下的铜镀层拥有较小电阻率、较小的表面粗糙度和较大的晶粒尺寸。

关 键 词：铜互连 脉冲电镀 电阻率 X射线衍射

分 类 号：TN305]