文献类型：期刊文章

作　　者：李恩玲[1] 陈贵灿[1] 王雪文[2] 薛英[3] 马红[3]

机构地区：[1]西安交通大学微电子研究所,西安710049 [2]西北大学电子系,西安710068 [3]西安理工大学理学院,西安710048

出　　处：《原子与分子物理学报》

基　　金：陕西省科技攻关项目(2005k06-G25)

年　　份：2006

卷　　号：23

期　　号：2

起止页码：279-286

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RSC、核心刊

摘　　要：本文利用密度泛函理论(DFT)对GanP-(n=2-7)和GanP2-(n=1-6)阴离子团簇的几何结构、电子态及稳定性进行了研究.在B3LYP/6-31G*水平上进行了结构优化和频率分析,得到了GanP-(n=2-7)和GanP2-(n=1-6)团簇的基态结构.这些阴离子团簇的几何结构随着n的增大,在n=5时由平面结构转化为立体结构;在GanP2-(n=1-6)团簇中,P-P比Ga-P容易成键;在GanP-(n=2-7)和GanP2-(n=1-6)阴离子团簇中,Ga3P2-,Ga4P2-,Ga5P2-和Ga6P-的基态结构最稳定.

关 键 词：GanPm^-阴离子团簇  密度泛函理论(DFT)  几何结构  

分 类 号：O562.3]