文献类型：期刊文章

作　　者：孙娟[1] 沈嘉年[1] 姚书典[1,2]

机构地区：[1]上海大学材料研究所 [2]北京冶金设备研究设计总院北京100029

出　　处：《化学学报》

基　　金：上海教育委员会青年基金(No.203170)资助项目.

年　　份：2006

卷　　号：64

期　　号：7

起止页码：647-651

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、IC、JST、RCCSE、RSC、SCI(收录号：WOS:000237056800010)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000237056800010)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用阳极氧化-阴极电沉积两步法:先在钛基体上用阳极氧化法制备多孔TiO2薄膜,接着在这层多孔状薄膜上采用阴极电沉积方法掺杂Pt,Ir来制备Ti/TiO2-Pt修饰电极和Ti/TiO2-Ir修饰电极.用XRD,SEM分析了掺杂前后的成分、相结构及表面形貌的变化,结果表明:Pt优先沉积在TiO2多孔中;与Pt不同,Ir没有表现出在TiO2孔中优先沉积的现象,出现这种现象的原因是这两种贵金属的电沉积电位相对于n-TiO2的平带电位不同.使用SIMS分析了在Ti/TiO2-(Pt/Ir)修饰电极中Ti,Pt,Ir的浓度分布,大致算出TiO2薄膜厚度为750nm左右.由极化曲线和阻抗谱结果得出:掺杂Pt,Ir明显改善了Ti/TiO2电极的电催化性能,且随着Pt沉积时间的增长,修饰电极在硫酸析氧反应中的电催化活性提高.

关 键 词：钛阳极 电催化 掺杂  多孔薄膜 二次离子质谱

分 类 号：O646.5]