期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]上海大学电子物理研究所
年 份:1996
卷 号:16
期 号:3
起止页码:216-220
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX1992、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:场限制环作为一种可与许多器件工艺相容的PN结终端得到了广泛应用。存在的一个问题是其效果随结构参数有过分敏感的变化。文中认为:作为设计指导思想的最佳环距原则是加重这一敏感性的重要原因。作为改进,提出了新的安全环距设计原则。按安全环距原则设计,除可明显缓解终端效果随结构参数敏感变化的问题外,还可有效地提高在同样结构和工艺条件下所制成器件的额定电压。
关 键 词:场限制环 安全环距 PN结 半导体物理
分 类 号:O475]
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