文献类型：期刊文章

作　　者：薛文斌[1]

机构地区：[1]北京师范大学低能核物理研究所射线束材料改性开放实验室,北京100875

出　　处：《金属学报》

基　　金：国家自然科学基金项目59801003;北京市科技新星计划项目9558102500;北京市留学回国启动基金项目资助

年　　份：2006

卷　　号：42

期　　号：4

起止页码：350-354

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2006249938470)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000237175800003)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000237175800003)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：用微弧氧化方法在SiCp／2024铝基复合材料表面沉积出较厚的陶瓷膜,测定了陶瓷膜的生长曲线和相组成,提出了金属基复合材料微弧氧化膜生长模型．结果表明,微弧放电烧结作用下,膜层内SiCp增强体大部分已被熔化并氧化,只有少数残余的SiCp颗粒仍然保留在靠近界面的膜层内． SiCp增强体阻碍了微弧氧化膜的生长,但它并未破坏微弧氧化膜的完整性,这同铝基复合材料阳极氧化膜结构完全不同．

关 键 词：微弧氧化 SiCp/2024铝基复合材料  陶瓷膜 生长机理  

分 类 号：TG174.45]