文献类型：期刊文章

作　　者：旷建军[1] 阮新波[1] 任小永[1]

机构地区：[1]南京航空航天大学航空电源重点实验室,江苏省南京市210016

出　　处：《中国电机工程学报》

基　　金：霍英东教育基金会高等院校青年教师基金(91058)。

年　　份：2006

卷　　号：26

期　　号：5

起止页码：170-175

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：提高磁性元件的工作频率,可以减少磁性元件的大小。但是随着工作频率的提高,集肤和邻近效应使绕组的损耗增加。文中基于磁性元件绕组的一维模型,对平面磁性元件绕组中的涡流效应进行分析。利用一维条件下,集肤和邻近效应的正交性,得出了集肤和邻近效应各自产生的损耗随绕组厚度和频率的变化趋势,指出简单地把厚绕组分割为薄绕组的并联不能减少绕组的损耗;同时分析利用原副边绕组交叉换位技术减少变压器绕组损耗的原理。通过有限元分析软件和实验证实分析结果的正确性和有效性。

关 键 词：电工 集肤效应 邻近效应  绕组损耗 平面磁性元件  

分 类 号：TM433]