文献类型：期刊文章

作　　者：郭清[1] 朱大中[1] 姚韵若[1]

机构地区：[1]浙江大学信息学院微电子技术与系统设计研究所,杭州310027

出　　处：《固体电子学研究与进展》

基　　金：国家自然科学基金（NSFC）：90307009

年　　份：2006

卷　　号：26

期　　号：1

起止页码：91-95

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：介绍了扇形分裂漏磁敏传感器集成电路的设计,并由0．6μm CMOS工艺实现。该集成电路以扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,并包含两次工作模式的开关阵列预处理电路、相关二次取样电路(CDS)和数字控制电路。该传感器集成电路实现了测量磁场的功能,并实现了在屏蔽磁场的工作模式下对噪声信号进行校正的功能,有效地消除了磁敏传感器及其信号处理电路的噪声影响。在工作频率为10 kHz时,磁敏传感器的灵敏度为2．62 V/T。

关 键 词：互补金属氧化物半导体 磁敏传感器 分裂漏磁敏晶体管  相关二次取样  

分 类 号：TN432]