文献类型：期刊文章

作　　者：崔敏[1] 张维佳[1] 钟立志[1] 吴小文[1] 王天民[1] 李国华[2]

机构地区：[1]北京航空航天大学理学院凝聚态物理与材料物理研究中心,北京100083 [2]中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京100083

出　　处：《电子元件与材料》

年　　份：2006

卷　　号：25

期　　号：4

起止页码：47-49

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过PECVD法制备了纳米硅薄膜(nc-Si:H),采用Raman散射谱,AFM对样品的结构和形貌进行了测试,并测试了样品的室温电导率。结果表明:制备出的纳米硅薄膜,其电导率达到4.9S·cm-1。另外制备了本征nc-Si:H膜作缓冲层,结构为ITO/n+-nc-Si:H/i-nc-Si:H/p-c-Si/Ag的PIN型太阳能电池,其Voc达到534.7mV,Isc达到49.24mA(3cm2),填充因子FF为0.4228。

关 键 词：无机非金属材料 纳米硅 电导率 PECVD 薄膜  太阳能电池

分 类 号：TM914.4]