文献类型：期刊文章

作　　者：刘乃鑫[1] 王怀兵[1] 刘建平[1] 牛南辉[1] 韩军[1] 沈光地[1]

机构地区：[1]北京工业大学北京市光电子技术实验室,北京100022

出　　处：《物理学报》

基　　金：北京市自然科学基金(批准号:D0404003040221);北京工业大学博士科研启动基金(批准号:52002014200403)资助的课题.~~

年　　份：2006

卷　　号：55

期　　号：3

起止页码：1424-1429

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2006169832079)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000235919300072)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000235919300072)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上低温(870—980℃)生长p型氮化镓(p-GaN).用Hall测试仪测量材料的电学性能,发现当温度低于900℃时,材料的电阻率较高;在900—980℃均可获得导电性能良好的p-GaN.另外,电导性能除与掺杂浓度有关,还与p-GaN生长条件有关,氮镓摩尔比过低导电性能就较差,过高则会引起表面粗糙.采用优化后的p-GaN制作了绿光发光二极管器件,发现生长温度越低器件发光强度越高,反向电压也越高,但正向电压只是略有升高.

关 键 词：Ⅲ-Ⅴ族半导体  氮化镓 发光二极管 金属有机物化学气相淀积

分 类 号：TN312.8]