文献类型：期刊文章

作　　者：孙成伟[1] 刘志文[1] 秦福文[1] 张庆瑜[1] 刘琨[2] 吴世法[2]

机构地区：[1]大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连116024 [2]大连理工大学物理系,大连116024

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:50240420656)资助的课题.~~

年　　份：2006

卷　　号：55

期　　号：3

起止页码：1390-1397

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2006169832074)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000235919300066)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000235919300066)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用反应射频磁控溅射方法,在Si(100)基片上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜.利用原子力显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射分析、拉曼光谱等表征技术,研究了沉积温度对ZnO薄膜的表面形貌、晶粒尺度、应力状态等结晶性能的影响;通过沉积温度对透射光谱和光致荧光光谱的影响,探讨了ZnO薄膜的结晶特性与光学性能之间的关系.研究结果显示,在室温至500℃的范围内,ZnO薄膜的晶粒尺寸随沉积温度的增加而增加,在沉积温度为500℃时达到最大;当沉积温度为750℃时,ZnO薄膜的晶粒尺度有所减小;在室温至750℃的范围内,薄膜中ZnO晶粒与Si基体之间均存在着相对固定的外延关系;在沉积温度低于500℃时,制备的ZnO薄膜处于压应变状态,而750℃时沉积的薄膜表现为张应变状态.沉积温度的不同导致ZnO薄膜的折射率、消光系数、光学禁带宽度以及光致荧光特性的变化,沉积温度对紫外光致荧光特性起着决定性的作用.此外,探讨了影响薄膜近紫外光致荧光发射的可能因素.

关 键 词：ZNO薄膜 表面形貌 微观结构  光学常数

分 类 号：O484.4]