文献类型：期刊文章

作　　者：卢红亮[1] 徐敏[1] 陈玮[1] 任杰[1] 丁士进[1] 张卫[1]

机构地区：[1]复旦大学微电子学系ASIC与系统国家重点实验室,上海200433

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60176013);上海市科委重点项目(批准号:04JC14013)资助的课题.~~

年　　份：2006

卷　　号：55

期　　号：3

起止页码：1374-1378

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2006169832071)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000235919300063)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000235919300063)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会产生重构现象.与体相电子结构相比,t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度.t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的.

关 键 词：密度泛函理论 t-HfO2(001)  表面电子结构

分 类 号：O562.1]