期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]浙江大学功率器件研究所
年 份:1996
卷 号:16
期 号:1
起止页码:75-79
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX1992、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:根据目前国内半导体工艺水平的现状,提出了一种制作IGBT的工艺方法──三重扩散法,并着重用器件模拟的方法,从理论上分析和证实了三重扩散法在高压IGBT器件制作上的优点和可行性,并用实验结果验证其正确性。
关 键 词:IGBT 三重扩散 器件模拟 绝缘栅 双极晶体管
分 类 号:TN305.4] TN322.8
参考文献:
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引证文献:
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