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期刊文章详细信息

生产IGBT的一种工艺──三重扩散    

A Technology for Making IGBT-Triple-diffusion

  

文献类型:期刊文章

作  者:李如春[1] 陈去非[1] 陈启秀[1]

机构地区:[1]浙江大学功率器件研究所

出  处:《固体电子学研究与进展》

年  份:1996

卷  号:16

期  号:1

起止页码:75-79

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX1992、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:根据目前国内半导体工艺水平的现状,提出了一种制作IGBT的工艺方法──三重扩散法,并着重用器件模拟的方法,从理论上分析和证实了三重扩散法在高压IGBT器件制作上的优点和可行性,并用实验结果验证其正确性。

关 键 词:IGBT 三重扩散  器件模拟  绝缘栅 双极晶体管

分 类 号:TN305.4] TN322.8

参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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