文献类型：期刊文章

作　　者：陈洪新[1] 贾天卿[2] 黄敏[1] 赵福利[1] 许宁生[1] 徐至展[2]

机构地区：[1]中山大学光电材料与技术国家重点实验室,广州510275 [2]中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室,上海201800

出　　处：《光学学报》

基　　金：国家自然科学基金(60108002)资助课题

年　　份：2006

卷　　号：26

期　　号：3

起止页码：467-470

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2006209882074)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用10倍的显微物镜将近红外飞秒激光脉冲汇聚到宽带隙半导体材料6H SiC的前表面,研究样品的烧蚀及诱导微细结构。用扫描电镜(Scanning electron microscope,SEM)及光学显微镜测量烧蚀斑。利用烧蚀面积与激光脉冲能量的关系确定SiC的烧蚀阈值。给出了SiC样品的烧蚀阈值与飞秒激光波长的依赖关系。实验结果表明,可见光区随波长增加,烧蚀阈值从0.29J/cm2增加到0.67J/cm2;而在近红外区,SiC的烧蚀阈值为0.70J/cm2左右,基本上不随激光波长变化而改变。结合计算结果,可以认为在飞秒激光烧蚀SiC的过程中,在近红外区,光致电离和碰撞电离均起到了重要的作用;而在可见光区,光致电离的作用相对大一些。

关 键 词：超快光学 烧蚀阈值 微加工  飞秒激光 光致电离 碰撞电离

分 类 号：O439]