文献类型：期刊文章

作　　者：艾伟伟[1] 郭霞[1] 刘斌[1] 宋颖娉[1] 刘莹[1] 沈光地[1]

机构地区：[1]北京工业大学光电子技术实验室,北京100022

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家863重点项目(2004AA311030)北京市教育委员会科技发展计划重点项目(KZ200510005003)

年　　份：2006

卷　　号：31

期　　号：3

起止页码：161-165

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：高效高亮度GaN基发光二极管(LED)在图像显示、信号指示、照明以及基础研究等方面有着极为广阔的应用前景,器件的可靠性是实现其广泛应用的保证。本文从封装材料退化、金属的电迁移、p型欧姆接触退化、深能级与非辐射复合中心增加等方面介绍了GaN基LED的退化机理以及提高器件可靠性的措施,并对GaN基LED的应用前景进行了展望。

关 键 词：氮化镓 发光二极管 退化机理  可靠性

分 类 号：TN365]