文献类型：期刊文章

作　　者：陈华杰[1] 张甫龙[1] 范洪雷[1] 阵溪滢[1] 黄大鸣[1] 俞鸣人[1] 侯晓远[1] 李谷波[2]

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433 [2]四川工业学院物理实验室,成都611744

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金资助的课题

年　　份：1996

卷　　号：45

期　　号：2

起止页码：297-303

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1992、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：用低温湿氧氧化方法对多孔硅进行后处理,获得了光致发光强度强、发光稳定的样品,顺磁共振谱表明这种样品表面的悬挂键密度较小,通过对样品红外光谱的测试和分析,指出SiH(O_3),SiH(SiO_2),SiH_2(O_2)结构的产生是实验中多孔硅稳定性提高的原因.

关 键 词：氧化  多孔硅 发光稳定性  低温湿氧  

分 类 号：TN204]