文献类型：期刊文章

作　　者：颜国君[1] 陈光德[1] 邱复生[1] Zhaoyan Fan[2,3]

机构地区：[1]西安交通大学理学院应用物理系 [2]美国西北大学电子与计算机工程系 [3]美国堪萨斯州立大学物理系,堪萨斯66506

出　　处：《光子学报》

年　　份：2006

卷　　号：35

期　　号：2

起止页码：221-223

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：分别使用X衍射仪和紫外(190nm^800nm)分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC(001)基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力,该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与基底SiC的晶格常量不匹配所致.透射谱表明AIN薄膜的禁带宽度大约为6.2eV;而其对应的吸收谱在6.2eV处存在一个明显的台阶,此台阶被认为是AIN薄膜中的带边自由激子吸收所产生,忽略激子的结合能(与禁带宽度相比),则该值就对应为AIN的禁带宽度.而其对应的不同温度下(10k^293k)的吸收谱的谱线的形状和位置无明显的变化表明温度对AIN薄膜的禁带宽度亦无明显的影响,这主要是由于在AIN薄膜中存在着应力所致.

关 键 词：AIN薄膜 透射谱 吸收谱 禁带带宽  自由激子  

分 类 号：O472]