登录    注册    忘记密码

期刊文章详细信息

基于P-N结的太阳能电池伏安特性的分析与模拟  ( EI收录)  

Analysis and Simulation of Solar Cells′ V-A Properties Based on P-N Junction

  

文献类型:期刊文章

作  者:任驹[1] 郭文阁[1] 郑建邦[1]

机构地区:[1]西北工业大学理学院光信息技术实验室,西安710072

出  处:《光子学报》

基  金:西北大学人才引进资金项目(04XD0114);研究生创业种子基金(Z200579)资助

年  份:2006

卷  号:35

期  号:2

起止页码:171-175

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:2006139784334)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:通过分析实际P-N结与理想模型之间的差别,建立了P-N结二极管及太阳能电池的数学模型;利用Matlab中的系统仿真模块库建立仿真模型,设置参量,求解模型方程并绘制了图形.对太阳能电池在一定光照下旁路电阻及串联电阻取不同数值时对其开路电压、短路电流及填充因子的影响做了模拟,并与实际测得的硅太阳能电池伏安特性进行了比较.模型分析与实验测量的结果表明等效的旁路电阻和串联电阻分别影响电池的开路电压和短路电流.仿真结果与实验测量结果一致.

关 键 词:P-N结 伏安特性 等效电路模型 太阳能电池

分 类 号:O475]

参考文献:

正在载入数据...

二级参考文献:

正在载入数据...

耦合文献:

正在载入数据...

引证文献:

正在载入数据...

二级引证文献:

正在载入数据...

同被引文献:

正在载入数据...

版权所有©重庆科技学院 重庆维普资讯有限公司 渝B2-20050021-7
 渝公网安备 50019002500408号 违法和不良信息举报中心