文献类型：期刊文章

作　　者：李娟[1] 陈秀芳[1] 马德营[1] 姜守振[1] 李现祥[1] 王丽[1] 董捷[1] 胡小波[1] 徐现刚[1] 王继扬[1] 蒋民华[1]

机构地区：[1]山东大学晶体材料国家重点实验室,山东济南250100

出　　处：《功能材料》

基　　金：国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2001AA311080);国家自然科学基金资助项目(60025409;50472068)

年　　份：2006

卷　　号：37

期　　号：1

起止页码：70-72

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：半导体晶片的加工质量和精度,直接影响到器件的性能。本文提出了一种超精密加工SiC晶片的方法,并详细论述了化学机械抛光的原理。加工后的SiC单晶片,平整度为±3μm,粗糙度<5nm,且应力较小。

关 键 词：化学机械抛光 粗糙度 平整度

分 类 号：O786]