文献类型：期刊文章

作　　者：赵天绪[1] 段旭朝[1] 郝跃[2]

机构地区：[1]宝鸡文理学院计算与信息研究所,宝鸡721007 [2]西安电子科技大学微电子所,西安710071

出　　处：《计算机学报》

基　　金：陕西省自然科学基金(2002F30);陕西省教育厅计划项目基金(02Jk194)资助~~

年　　份：2006

卷　　号：29

期　　号：2

起止页码：227-232

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2006159819759)、IC、INSPEC、JST、MR、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在深亚微米和超深亚微米集成电路中,互连线失效是影响集成电路可靠性的主要因素之一.由于在集成电路制造过程中存在着缺陷,缺陷的出现导致了集成电路可靠性的下降,尤其是出现在互连线上的丢失物缺陷加剧了互连线的电迁移效应,因此电迁移失效依然是其主要的失效模式.文中讨论了电路的互连线的寿命模型,分析了丢失物缺陷以及刻蚀工艺的扰动对互连线宽度的影响,提出了新的互连线寿命估计模型.该模型还考虑了线宽、线长和缺陷峰值粒径等因素对导线寿命的影响.利用该模型可以估算出受丢失物缺陷以及刻蚀工艺扰动影响的互连线的寿命变化情况,这对IC电路设计有一定的指导作用.文中还利用模拟实验证明了该模型的有效性.

关 键 词：互连线寿命  电迁移 工艺扰动  缺陷  

分 类 号：TP301]