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一种高性能带隙基准源的设计与分析
Design and Analysis of A High Performance CMOS Band-gap Voltage Reference
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]湖南大学微电子研究所,湖南省长沙市410082
年 份：2006
卷 号：32
期 号：2
起止页码：9-12
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：提出了一种采用0．6μm 1PIM（单层Poly，单层Metal）CMOS工艺的高性能带隙基准电压源电路（BGR）设计。该电路能够在电压范围[4．0V，6．0V]内稳定工作，实现了一阶PTAT（与绝对温度成比例）温度补偿，并具有较好的电源抑制比和较低的温度系数，应用在热释电红外传感器专用控制芯片之中。HSPICE模拟和芯片测试结果表明，其电源抑制比可达到65dB，在0℃～70℃范围内精度可达到23×10^-6／℃，当VDD为5V时功耗仪为158．6945μW。
关 键 词：带隙基准源 PTAT(与绝对温度成比例) 电源抑制比 温度系数
分 类 号：TN432.1]
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