文献类型：期刊文章

作　　者：冯锡淇[1] 张启仁[2] 应继锋[1] 刘建成[1] 殷之文[1]

机构地区：[1]中国科学院上海硅酸盐研究所 [2]苏州铁道师范学院物理系

出　　处：《中国科学（A辑）》

基　　金：国家自然科学基金

年　　份：1989

卷　　号：20

期　　号：6

起止页码：665-672

语　　种：中文

收录情况：CSCD、CSCD2011_2012、ZMATH、普通刊

摘　　要：本文测量了一组掺镁和掺铁铌酸锂晶体的OH^-吸收谱、光吸收边、点阵常数、密度、色心吸收谱和Fe^(3+)室温ESR谱及它们与掺镁浓度的关系。观察到存在着掺镁浓度的阈值效应。用缺陷化学讨论了掺镁铌酸锂晶体缺陷结构,给出不同浓度下晶体中存在的缺陷格子及其消长规律。计算表明,当一致熔化组份晶体中掺镁浓度达到5.3mol％时,将出现合有Nb位Mg^(2+)的缺陷晶格。认为这是“阈值”的主要标记。用由此引起的LiNbO_3品格中离子环境的改变较满意地解释了上述实验结果,阈值浓度的计算值与实验相符。用本文的结论解释了高浓度掺镁铌酸锂晶体抗光伤能力成百倍提高的原因。

关 键 词：晶体 掺镁铌酸锂  阈值效应  

分 类 号：O77]