文献类型：期刊文章

作　　者：孙成伟[1] 刘志文[1] 张庆瑜[1]

机构地区：[1]大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连116024

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:50240420656)资助的课题~~

年　　份：2006

卷　　号：55

期　　号：1

起止页码：430-436

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2006099733454)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000234257400075)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000234257400075)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用反应射频磁控溅射法在Si(100)基片上制备了高c轴择优取向的ZnO薄膜,研究了退火温度对ZnO薄膜的晶粒尺度、应力状态、成分和发光光谱的影响,探讨了ZnO薄膜的紫外发光光谱和可见发光光谱与薄膜的微观状态之间的关系.研究结果显示,在600—1000℃退火温度范围内,退火对薄膜的织构取向的影响较小,但薄膜的应力状态和成分有比较明显的变化.室温下光致发光光谱分析发现,薄膜的近紫外光谱特征与薄膜的晶粒尺度和缺陷状态之间存在着明显的对应关系;而近紫外光谱随退火温度升高所呈现的整体峰位红移是各激子峰相对比例变化的结果.此外,研究结果显示,薄膜的可见发光光谱对退火温度极为敏感.

关 键 词：ZNO薄膜 退火 光致发光  射频反应磁控溅射 可见光发射

分 类 号：O484.41]