文献类型：期刊文章

作　　者：王军[1] 冯列峰[1] 朱传云[2] 丛红侠[1] 陈永[1] 王存达[1]

机构地区：[1]天津大学应用物理学系,天津300072 [2]佛山科学技术学院光电子与物理学系,广东佛山528000

出　　处：《光电子．激光》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60376027)

年　　份：2006

卷　　号：17

期　　号：1

起止页码：1-4

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2006169831227)、SCOPUS、核心刊

摘　　要：对各种发光二极管(LEDs)的负电容(NC)进行了研究。实验结果表明,所有的LEDs都展示了NC现象。电压调制发光(VMEL)实验确认,在发光有源区中注入载流子引起的强发光复合是产生NC现象的基本原因。测量还表明,不同的LEDs的NC随电压和频率的变化规律是类似的;测试频率越低,正向偏压越高,NC现象越明显。

关 键 词：发光二极管(LEDs)  正向交流(a.c.)特性  负电容(NC)  电压调制发光(VMEL)  

分 类 号：TN312.8]