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期刊文章详细信息

氧化锌薄膜的p型掺杂研究现状    

Investigation of p-Type Doping in Zinc Oxide Thin Films

  

文献类型:期刊文章

作  者:袁宁一[1] 李金华[1] 范丽宁[1] 周懿[1]

机构地区:[1]江苏工业学院功能材料实验室,江苏常州213016

出  处:《江苏工业学院学报》

年  份:2005

卷  号:17

期  号:4

起止页码:54-57

语  种:中文

收录情况:普通刊

摘  要:ZnO薄膜作为一种多用途的光电材料,一直受到国内外学术界的广泛关注。为了开发ZnO短波长光电器件,首要解决的 关键问题是氧化锌的p型掺杂。综述了目前国际上常用的氧化锌p型掺杂方法,对不同方法制备的p型ZnO薄膜的性能进行了 分析比较。

关 键 词:氧化锌薄膜 P型掺杂 空穴载流子浓度  迁移率

分 类 号:TB43] O484.4]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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