期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]西南交通大学微电子研究所,四川成都610031
基 金:国家自然科学基金资助项目(60371017);四川省学术和技术带头人资助项目
年 份:2006
卷 号:23
期 号:1
起止页码:52-54
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2004、CSCD、CSCD_E2011_2012、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要:提出了一种结构简单、功能可靠的CMOS过流保护电路。通过增加FOLDBACK功能有效地降低了电路损失的功耗,并且提高了系统的可靠性。在SAMSUNG0.6ΜMCMOS工艺下,HSPICE模拟仿真结果证明该电路工作可靠、性能优良,可广泛应用于功率开关器件如MOSFET的保护电路中。
关 键 词:过流保护 低功耗 foldback CMOS MOSFET
分 类 号:TN4]
参考文献:
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引证文献:
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同被引文献:
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