文献类型：期刊文章

作　　者：王海英[1] 杜保立[2] 李玉山[1] 张星[1] 李喜贵[1] 路庆凤[1]

机构地区：[1]河南师范大学物理与信息工程学院,河南新乡453007 [2]河南理工大学基础部,河南焦作454000

出　　处：《低温物理学报》

基　　金：河南省教委自然科学基金资助项目(项目编号:2003140029)~~

年　　份：2005

卷　　号：27

期　　号：A01

起止页码：541-544

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：我们测量了La2-xMxCuO4(LMCO,M=Sr,Ba,x=0.05,0.10,0.125,0.15,0.2)体系的室温正电子寿命谱,研究了正电子湮没机制与超导电性之间的关系.实验结果表明在x=1/8附近电子密度(ne)出现峰值响应,说明在掺杂浓度不断增加的过程中,当x<1/8时,正电子-空穴反关联起决定性的作用,而在x>1/8时,化学掺杂引起的电子损失是决定电子密度的最重要的原因.

关 键 词：La2-xMxCuO4超导体  正电子寿命谱参数  掺杂 电子密度

分 类 号：O511.4]