文献类型：期刊文章

作　　者：陈浩琼[1] 高清运[1] 秦世才[1]

机构地区：[1]南开大学微电子系,天津300071

出　　处：《固体电子学研究与进展》

基　　金：天津科技攻关重点项目(编号:033187111);南开大学与天津中晶微电子公司合作项目的资助

年　　份：2005

卷　　号：25

期　　号：4

起止页码：531-535

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：分析了CMOS带隙基准电压值的误差,给出了定量的数学表达式和相应的改进方法。在此理论指导下,用0.25μmCMOS工艺设计了一个带隙基准源,并制出芯片。基准电压的设计值为1.2V,实测结果表明,在不使用修正技术的情况下,基准电压值的均方差达3mV,温度系数(从-40°C～100°C)为20ppm/°C,电源抑制比(从2～3.3V)80μV/V,验证了理论分析的正确性。

关 键 词：互补金属氯化物半导体  带隙基准 误差源 均方差

分 类 号：TN432]