文献类型：期刊文章

作　　者：赵透玲[1] 任丙彦[2] 赵龙[2] 王文静[1]

机构地区：[1]北京市太阳能研究所,北京100083 [2]河北工业大学信息功能材料研究所,天津300130

出　　处：《光电子．激光》

基　　金：北京市自然科学基金资助项目(2041002)

年　　份：2005

卷　　号：16

期　　号：12

起止页码：1429-1432

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2006109751249)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、核心刊

摘　　要：采用射频磁控溅射的方法,在溅射过程中改变沉积温度以提高铟锡氧化物(ITO)薄膜的电学和光学特性。采用扫描电镜(SEM)分析了ITO薄膜的表面形貌,发现ITO薄膜的晶粒尺寸随着衬底温度的升高而增大。经过后续退火,ITO薄膜的电学特性得到了较大的提高。在溅射条件为工作气压1 Pa、衬底温度200℃和输入功率200 W沉积的样品经过300℃真空退火2 h获得了12.8×10-4Ω.cm的低电阻率和800 nm波段94%的高透过率。

关 键 词：铟锡氧化物(ITO)  电阻率  磁控溅射 退火  

分 类 号：TK51]