文献类型：期刊文章

作　　者：宋会英[1] 张玉林[1] 魏强[1] 孔祥东[1]

机构地区：[1]山东大学控制学院电子束研究所,济南250061

出　　处：《高能物理与核物理》

基　　金：国家自然科学基金(90307003)山东省自然科学基金(Y2003G03)山东省科技攻关计划基金(022090105)资助

年　　份：2005

卷　　号：29

期　　号：12

起止页码：1219-1224

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2005519605615)、核心刊

摘　　要：利用分段散射模型,借助Monte Carlo方法模拟了具有高斯分布特征的高能入射电子束(50keV≤E0≤100keV)在抗蚀剂中的散射过程,分别得到了不同曝光条件下的电子背散射系数和能量沉积分布, 模拟结果与实验结果很好地符合.在这一能量段,当电子束能量越高、抗蚀剂越薄、基片材料的原子序数越低时,邻近效应越弱.本文的模拟结果不仅能为高能电子束光刻工艺优化曝光条件、降低邻近效应提供理论指导,而且能为进一步的邻近效应的校正提供更精确的数据.

关 键 词：电子束光刻 MONTE CARLO模拟 邻近效应  二次电子

分 类 号：TN305]