期刊文章详细信息
部分耗尽SOIMOSFET中的浮体效应
Floating Body Effects in Partially Depleted SOI MOSFET's
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]无锡微电子科研中心IC工艺实验室,江苏无锡214035
年 份：2005
卷 号：35
期 号：6
起止页码：597-599
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要：介绍了部分耗尽SOIMOSFET中的浮体效应;简要描述了浮体效应的物理机制、测试结果,以及减小浮体效应的方法;同时,给出了在有体接触的情况下出现kink效应的测试结果。
关 键 词：SOI MOSFET 浮体效应 KINK效应
分 类 号：TN386.1]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
