文献类型：期刊文章

作　　者：丁瑞钦[1]

机构地区：[1]五邑大学薄膜与纳米材料研究所,广东江门529020

出　　处：《电子元件与材料》

基　　金：广东省自然科学基金资助项目(04011770)

年　　份：2005

卷　　号：24

期　　号：12

起止页码：46-49

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：提高ZnO薄膜的质量,使之适应制备光电器件的要求,是目前ZnO薄膜研究的一个主要问题。在对近年来人们在ZnO薄膜的制备上所作的工作进行调研的基础上,总结出对提高薄膜的质量有普遍参考价值的三种关键技术:“缓冲层”,“氢钝化”和“表面化学处理”。对三种关键技术的主要内容,及其在提高薄膜结晶质量与光电性能方面的效果和物理机制,作了较详细的介绍。并对这些技术提出了自己的一些见解。

关 键 词：电子技术 ZNO薄膜 综述  缓冲层 氢钝化  表面化学处理  

分 类 号：O472.3]